Компания SK hynix, ведущий производитель полупроводников, объявила о массовом производстве первой в мире 321-слойной 4D NAND Flash емкостью 1 Тб. Это достижение стало возможным спустя год после того, как компания представила самую высокую в отрасли 238-слойную флэш-память NAND.
Новая 321-слойная флэш-память 4D NAND стала результатом технологического прорыва в процессе укладки. SK hynix применила новый подход «3 пробки», который электрически соединяет три вертикальных отверстия в слоях подложки, что позволяет создавать ячейки более эффективно. Кроме того, компания разработала материал с низким напряжением и технологию, которая автоматически корректирует выравнивание между заглушками, что позволило успешно реализовать этот передовой процесс укладки.
Использование той же платформы разработки, что и в предыдущей 238-слойной NAND, также способствовало повышению производительности на 59 % по сравнению с предыдущим поколением, минимизировав влияние перехода на новый технологический процесс.
Новейшая 321-слойная флэш-память 4D NAND обладает рядом преимуществ в плане производительности. Она может похвастаться увеличением скорости передачи данных на 12 % и производительности чтения на 13 %, а также повышением энергоэффективности чтения данных более чем на 10 %.
SK hynix планирует ориентироваться на растущий спрос на высокопроизводительные решения для хранения данных на рынке, ориентированном на ИИ, особенно в таких приложениях, как SSD для центров обработки данных с ИИ и ИИ на устройствах. Компания считает, что это последнее достижение в технологии NAND Flash еще больше укрепит ее позиции в качестве ведущего поставщика решений памяти для рынка ИИ-хранилищ.
