Компания SK hynix, известный производитель полупроводников, достигла важной вехи, начав серийное производство HBM3E, сверхвысокопроизводительной памяти AI. Компания объявила, что поставит это передовое решение для памяти заказчику в конце марта, всего через семь месяцев после того, как публично представила его успешную разработку.
Став первым поставщиком HBM3E, который может похвастаться самыми высокопроизводительными в отрасли чипами DRAM, SK hynix развивает свой предыдущий успех с HBM3. Компания ожидает, что успешное серийное производство HBM3E в сочетании с опытом первого поставщика HBM3 укрепит ее лидирующие позиции на рынке памяти для ИИ.
Разработка передовых систем искусственного интеллекта, способных быстро обрабатывать огромные объемы данных, требует создания полупроводниковых корпусов, обеспечивающих многосвязное взаимодействие между многочисленными процессорами и памятью искусственного интеллекта. Крупнейшие мировые технологические компании предъявляют все более высокие требования к полупроводникам для ИИ, и HBM3E от SK hynix, как ожидается, оправдает эти растущие ожидания, став оптимальным решением.
HBM3E занимает первое место в отрасли по критически важным для памяти ИИ параметрам, включая скорость и тепловой контроль. Она способна обрабатывать до 1,18 ТБ данных в секунду, что эквивалентно обработке более 230 фильмов в формате Full-HD (по 5 ГБ каждый) за одну секунду.
Эффективный отвод тепла — еще одно важнейшее требование к памяти ИИ, поскольку она работает на чрезвычайно высоких скоростях. В HBM3E от SK hynix на 10 % улучшены показатели теплоотвода по сравнению с предыдущим поколением, что было достигнуто благодаря применению передового технологического процесса MR-MUF.
С началом массового производства HBM3E компания SK hynix пополнила линейку лучших в отрасли продуктов памяти AI. Компания намерена укрепить свои позиции в качестве полного поставщика памяти AI, опираясь на успешный бизнес HBM и крепкие партнерские отношения с клиентами, которые развивались на протяжении многих лет.
