Тайваньская компания TSMC вышла на уровень выпуска 20 000 двухнанометровых пластин в месяц на предприятии Fab 20 в Тайнане. Это первый в мире серийно-подготовленный техпроцесс с транзисторами GAAFET под названием N2.
Архитектура N2 вместо FinFET использует вертикальные нанолисты с круговым затвором. Характеристики заявляют рост производительности на 15 % при одинаковой мощности либо снижение энергопотребления до 30 % при прежней частоте по сравнению с 3-нм узлом N3. Плотность логики увеличена на 15 % относительно N3E, а питание подводится по традиционной фронтальной схеме — версия с тыловым питанием появится в модификации N2P.
Завод Fab 20 оснащен установками EUV-литографии и является центральной площадкой для 2-нм продуктов. По данным профильных изданий, TSMC планирует к концу 2025 года удвоить мощности до 50 тысяч пластин в месяц. Достигнутые 20 тысяч свидетельствуют о выходе из стадии пилотных образцов и переходе к рисковому производству, в ходе которого клиенты завершают квалификацию своих изделий.
Для сравнения: 3-нм узел N3 на старте опытно-промышленного выпуска в 2022 году давал лишь около 3–4 тысяч пластин в месяц, а взрывной рост заказов начался заметно позже. Столь быстрое масштабирование N2 отражает более зрелую стадию технологии GAAFET и говорит о накопленном опыте TSMC.
Интерес к N2 на этапе проектирования заметно интенсивнее, чем к N3. Совокупное число tape-out выросло в четыре раза в сравнении с 3-нм поколением на аналогичном отрезке зрелости. В число подтвержденных заказчиков вошли AMD с серверными процессорами EPYC «Venice» на ядрах Zen 6 и Apple с системой A20 Pro для смартфонов iPhone 18, дебют которых ожидается во второй половине 2026 года.
Кроме того, по сведениям отраслевых источников, заинтересованность проявили Qualcomm, MediaTek и графическое подразделение Intel. Высокий спрос заставляет TSMC ускорить ввод второй очереди Fab 20, где впоследствии наладят изготовление модификации N2P.
Технологический ландшафт дополняют конкурирующие разработки. Samsung разворачивает 2-нм GAA-узел SF2, а Intel выводит техпроцесс 18A с ленточными транзисторами RibbonFET и шиной PowerVia. Все три производителя планируют начать массовый выпуск в близкие сроки, однако количество проектов на N2 на старте заметно превосходит показатели соперников.
Семейство N2 было анонсировано в 2022 году на технологическом симпозиуме TSMC. Опыные партии начали выпускать в первой половине 2024-го, и к апрелю 2025 года уровень выхода годных достиг значений, достаточных для загрузки линии на 20 тысяч пластин. Серийный выпуск потребительской продукции на этом узле запланирован на середину 2026 года после завершения валидации чипов.
