Компания TSMC сообщила о достижении стабильного уровня выхода годных на уровне 98 процентов для своей платформы многокристальной компоновки CoWoS-L. Технология позволяет размещать на одной подложке кремниевые кристаллы, общая площадь которых составляет 4 720 квадратных миллиметров, что эквивалентно 5,5 стандартным фотографическим ретикулам. Предельный размер одной ретикулы в передовых техпроцессах TSMC оценивается в 858 мм².
CoWoS-L является эволюцией семейства Chip-on-Wafer-on-Substrate. В отличие от ранней версии CoWoS-S, где использовался сплошной кремниевый интерпозер большого размера, модификация L опирается на органический интерпозер с локальными силиконовыми мостиками, которые называются LSI. Эти мостики обеспечивают высокую плотность соединений между вычислительными чиплетами и стеками памяти HBM. Такой подход снимает физические ограничения цельного кремниевого моста и позволяет масштабировать конструкцию за пределы одного шага ретикулы без неприемлемого падения выхода годных на уровне моста-подложки.
Достигнутый показатель выхода в 98 процентов относится к финальному этапу сборки сложного гетерогенного модуля. Это значение исключает потери, связанные с производством отдельных кристаллов, и подтверждает зрелость процессов интегрирования множества компонентов на общую подложку. Способность TSMC выйти на столь высокий уровень на этапе запуска первых массовых продуктов на CoWoS-L снимает прежние риски, связанные с повышенным процентом брака при использовании крупных интерпозеров с дополнительными соединительными мостами. В итоге экономика поставок сверхбольших ускорителей перестает быть ограничивающим фактором.
Упаковка площадью 4 720 мм² ориентирована на ускорители вычислений нового поколения. Сообщается, что графические процессоры Nvidia архитектуры Blackwell, в частности модель B200, используют компоновку из двух сопроцессоров и восьми стеков памяти HBM3e, соединенных через модифицированный интерпозер. Хотя Nvidia официально не детализирует ревизию CoWoS в составе B200, согласно отраслевым отчетам применяется платформа CoWoS-L. Конкурирующая система Intel EMIB предлагает схожий принцип соединения через встроенные мостики, однако отличается технологическим исполнением и текущим уровнем зрелости производственных процессов.
В дорожную карту TSMC заложены еще более масштабные решения. К 2029 году компания намерена представить версию компоновки, поддерживающую сборку кристаллов, суммарная площадь которых достигнет 14 размеров ретикулы. Это соответствует компоновке кремния общей площадью более 12 000 мм² в едином корпусе. Подобный шаг будет востребован для суперчипов, объединяющих несколько процессорных ядер, графические ускорители, память и сетевые блоки в конструктиве уровня целой подложки, приближающегося к концепции пластиномасштабной интеграции.
Платформу CoWoS-L помимо Nvidia планируется использовать в решениях Broadcom и AMD. Для сравнения, упаковка ускорителя AMD Instinct MI300X базируется на CoWoS-S с кремниевым интерпозером размером около четырех ретикул и включает восемь вычислительных чиплетов и четыре контроллера ввода-вывода. Переход на гибридный органический слой с мостиками LSI в CoWoS-L сокращает внутренние задержки и повышает механическую гибкость. Достигнутый выход в 98 процентов фиксирует переход данной технологии с этапа выборочного тестирования к полноценной массовой эксплуатации, создавая задел для будущих 14-ретикульных гигантов.
