Южнокорейская Samsung Electronics одновременно разворачивает два крупных производственных проекта в сфере микроэлектроники. На новом предприятии в американском городе Тейлор (штат Техас) инженеры компании приступили к тестированию литографических сканеров для выпуска 2-нанометровых чипов. Параллельно в Южной Корее, на заводе в городе Пхёнтхэк, корпорация разместила заказы на технологическую оснастку для двух новых секций, где будет налажен выпуск оперативной памяти DRAM по нормам 1c нанометр для нужд ускорителей искусственного интеллекта.
По сведениям корейских изданий edaily и ZDNET Korea, техасская фабрика Samsung вошла в стадию пробной эксплуатации. Помимо запуска проверки оборудования для литографии в жёстком ультрафиолете (EUV), на площадку постепенно завозят основные агрегаты для этапов травления и осаждения материалов. Компания намерена начать работу завода в Тейлоре до конца 2026 года, а полностью вывести его на проектную мощность к 2027 году. Эта фабрика станет для Samsung важным инструментом в конкурентной борьбе с тайваньской TSMC за клиентов, которым требуются самые современные логические микросхемы. Появившаяся ранее информация связывала мощности Тейлора с выпуском автомобильных чипов искусственного интеллекта AI5 и AI6 для американской компании Tesla.
Одновременно Samsung ускоряет расширение своего производства памяти в Южной Корее. В конце марта компания сделала заказы на крупные партии оборудования для двух последних секций своего завода P4 в Пхёнтхэке, обозначенных как PH2 и PH4. Обе секции будут выпускать микросхемы DRAM по технологии 1c нанометр (шестое поколение 10-нанометрового класса). Готовая продукция нужна для создания новейших типов высокопроизводительной памяти HBM (High Bandwidth Memory), а именно версий HBM4, HBM4E и HBM5. Такая память служит основой для ускорителей вычислений в системах искусственного интеллекта.
График работ по двум новым секциям различается. На линии PH4 установка оборудования начнётся в мае или июне 2026 года. На секции PH2 сперва построят чистые помещения, а монтаж аппаратуры стартует только в ноябре текущего года с расчётом завершить процесс к февралю 2027 года. Первая секция комплекса P4 (PH1) уже полностью профинансирована. На третьей секции (PH3) монтаж оборудования почти закончен: эта линия, как ожидается, сможет обрабатывать до 14 тысяч кремниевых пластин в месяц уже в этом году.
